Uni Fakultäten Fk. V Chemie PC - Neuendorf   

Elektronische Eigenschaften von Halbleiter-Nanopartikeln im Quantum-Size-Regime

Zusammenfassung

Halbleiter-Nanostrukturen, speziell solche aus den II-VI Verbindungshalbleitern CdS, CdSe und CdTe, stellen wegen ihrer besonderen elektronischen und optischen Eigenschaften, die z.T. erheblich vom Verhalten makroskopischer Festkörper abweichen, ein vielversprechendes Material für zukünftige elektrooptische und photonische Bauteile dar.

Nanopartikel oder Cluster können dabei als ein Modellsystem dienen, das aufgrund der relativ einfachen Geometrie für die Grundlagenforschung gut geeignet ist. Eine Reihe solcher grundlegender Untersuchungen der intrinsischen Eigenschaften von Halbleiternanopartikeln sowie zusätzlicher Effekte, die durch die Einbettung in eine Wirtsmatrix (Grenzschichteffekte) oder dichte Packung von Teilchen (Vielteilcheneffekte) zustande kommen, sind in dieser Arbeit durchgeführt worden. Die Schwerpunkte liegen dabei zum einen auf der gezielten Präparation von Partikeln und Partikelsystemen durch chemische oder physikalische Methoden, zum anderen auf der Analyse der linearen und nichtlinearen optischen Eigenschaften der Systeme. Abschliessend sind einige Anwendungsvorstufen aufgelistet, die einen Ausblick auf das technologische Potential nanostrukturierter Halbleitersysteme gaben.

Dissertation an der Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Fakultät der RWTH Aachen (I. Physikalisches Institut, Prof. Dr. U. Kreibig)

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